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从外媒的报道来看,三星电子平泽P3晶圆厂,规划的是一座既生产存储芯片,又生产逻辑芯片的工厂,率先投产的是NAND闪存,随后是DRAM,随后是采用3nm工艺为其他厂商代工晶圆的生产线。三星电子平泽P3晶圆厂率先开始生产NAND闪存,也就意味着工厂设备的安装,将从NAND闪存生产设备开始,外媒在报道中是表示在5月份的第一个周就将开始安装。
值得注意的是,三星电子的这一座工厂,将大量采用极紫外光刻机。外媒在报道中就提到,这一工厂的NAND闪存生产线,将采用极紫外光刻机生产第7代176层V-NAND闪存,为其他厂商代工晶圆的3nm工艺,也需要极紫外光刻机。
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