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不过,台积电业务开发资深副总经理张晓强则表示,2024年取得设备后,初期主要用于与合作伙伴共同研究,尚不会量产。据悉,这款新型EUV系统将提供0.55数值孔径,与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比,精度会有所提高,可以实现更高分辨率的图案化。
据悉,台积电的目标是2025年量产其N2工艺,而现阶段主要是其他N3工艺的产量和良品率,这被认为是世界上最先进的芯片制造技术之一。随着英特尔Meteor Lake延期,以及N3工艺的效能未让苹果满意,台积电很可能放弃N3工艺,将重点转移到明年量产的N3E工艺,这属于第二版3nm制程。
与3nm制程节点不同,2nm制程节点将使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管,台积电称相比3nm工艺会有10%到15%的性能提升,还可以将功耗降低25%到30%。预计N2工艺于2024年末将做好风险生产的准备,并在2025年末进入大批量生产,客户在2026年就能收到首批芯片。
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